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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]相变存储器-CN202111265534.3在审
发明人： P·波伊文;R·西莫拉;Y·穆斯塔法-拉保尔特 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及相变存储器。本说明书涉及包括相变存储器单元的器件，每个存储器单元包括与由相变材料制成的第二元件横向接触的第一电阻元件。
相变存储器

[发明专利]相变存储器-CN200910200724.X有效
发明人：丁晟;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明揭示了一种相变存储器，所述相变存储器包括数条存储翼plane；所述plane包括n个存储块block和n个先入先出堆栈FIFO，每个block对应一个FIFO；其中，n为相变存储器并行读写位数；plane与plane之间依靠数据总线、地址总线和控制总线连接；所述block包括存储阵列、行列译码器及驱动电路。本发明提出的相变存储器，可提高相变存储器写入速度。
相变存储器

[实用新型]相变存储器-CN202123248333.0有效
发明人： G·卡姆帕尔多;M·博尔吉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及相变存储器。一种相变存储器包括：半导体主体，容纳选择晶体管；电绝缘主体，被设置在半导体主体之上；导电区，延伸穿过电绝缘主体，电耦合到选择晶体管；以及电绝缘主体中的多个加热器元件。多个加热器元件中的每个加热器元件包括与导电区的相应部分电接触的第一端和远离导电区延伸的第二端。相变存储器还包括多个相变元件，多个相变元件在电绝缘主体中延伸并且包括数据存储区，其中数据存储区中的每个数据存储区在一个相应的加热器元件的第二端处被电耦合且热耦合到相应的加热器元件。根据本实用新型的相变存储器的面积/位相对于已知相变存储器显著减小。
相变存储器

[发明专利]相变存储器-CN202210763370.5在审
发明人： L·法韦内克;F·皮亚扎 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：公开了一种相变存储器。一种用于制造相变存储器的方法，包括形成相变存储器单元阵列的步骤，每个单元与阵列的同一行中的相邻单元间隔相同的第一距离并与阵列的同一列中的相邻单元间隔相同的第一距离。该方法还包括在每行或每列中蚀刻N个存储器单元中的一个存储器单元，其中N至少等于2。
相变存储器

[发明专利]相变存储器-CN200510093882.1无效
发明人：岩崎富生 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11B7/00 文献下载
摘要：本发明的第一目的是提供一种可靠性高的相变存储器。本发明的第二目的是提供一种耐反复改写性高的相变存储器。在包含在基板的一个主面侧形成的相变记录膜的相变存储器中，使具有和相变记录膜的无定形相的原子排列相同的原子排列的无定形材料与相变记录膜接触，此外还对相变记录膜施以拉伸变形。
相变存储器

[发明专利]相变存储器-CN202010462793.4在审
发明人： P·波伊文;D·贝努瓦;R·贝特隆 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种相变存储器的制造方法和相变存储器设备。方法包括在空腔中形成第一绝缘层，该空腔以与相变材料带垂直对齐的方式放置，并各向异性地蚀刻第一绝缘层的位于空腔底部的部分；以及包括第一绝缘层的相变存储器设备，该第一绝缘层紧靠以与相变材料带垂直对齐的方式放置的空腔的侧壁
相变存储器

[发明专利]相变存储器-CN202210592715.5在审
发明人： P·古劳德;L·法韦内克 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及相变存储器。存储器单元由以下制造：(a)形成包括由相变材料制成的第一层和由导电材料制成的第二层的堆叠；(b)在堆叠上形成仅覆盖存储器单元位置的掩模；以及(c)蚀刻堆叠的、未被第一掩模覆盖的部分。仅覆盖存储器单元位置的掩模的形成包括针对存储器单元位置的每排限定在排方向上延伸的第一掩模，并且接着针对存储器单元位置的每列在列方向上图案化第一掩模。
相变存储器

[发明专利]相变存储器-CN201010001493.2无效
发明人：陈士弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-01-12 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明为一种相变存储器，包括一基底、多个下电极、多个上电极、多个相变化材料层以及多个防止热干扰部。下电极是设置于基底中，上电极则是设置于基底上。而相变化材料层是位于上、下电极之间，且每一相变化材料层是与下电极其中之一与上电极其中之一导通。至于防止热干扰部是用以降低热干扰对相变存储器所造成的影响。
相变存储器

[发明专利]相变存储器-CN202010278569.X在审
发明人：吴昭谊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种相变存储器及其形成方法。所述相变存储器包括：衬底；第一介电层，位于所述衬底上方；底部电极，延伸穿过所述第一介电层；第一缓冲层，位于所述底部电极上方；相变层，位于所述第一缓冲层上方；顶部电极，位于所述相变层上方；以及第二介电层，所述第二介电层围绕所述相变层及所述顶部电极。所述顶部电极的宽度大于所述底部电极的宽度。
相变存储器

[发明专利]相变存储器-CN202110729313.0有效
发明人：刘广宇;刘峻;杨海波;彭文林;付志成 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种相变存储器。所述相变存储器包括：相变存储单元，位于衬底上，包括：沿第一方向并列设置的相变存储层和晶体管；其中，所述第一方向平行于所述衬底所在的平面；所述晶体管，包括：沿所述第一方向并列设置的源极、沟道层和漏极；栅极层，沿第二方向延伸，且包裹所述沟道层设置；其中，所述第二方向不同于所述第一方向，且所述第二方向平行于所述衬底所在的平面；沿所述第一方向，所述相变存储层与所述源极并列设置且电连接；或，所述相变存储层与所述漏极并列设置且电连接
相变存储器

[发明专利]相变存储器-CN201710378936.1在审
发明人：侯纪伟;袁之泉;刘锴;柳鹏;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器，其包括：至少一加热层及至少一相变层，该相变层与所述加热层一一对应设置，该加热层用于加热所述相变层，使该相变层达到相变温度，所述相变层的材料包括二氧化钒。
加热层相变存储器一一对应设置二氧化钒加热

[发明专利]相变存储器-CN202010123510.3在审
发明人：吴昭谊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开提供一种相变存储器及其形成方法。所述相变存储器包括：衬底；第一介电层，位于所述衬底上方；底部电极，延伸穿过所述第一介电层；相变层，位于所述底部电极上方；以及顶部电极，位于所述相变层上方。所述相变层包括：延伸到所述底部电极中的第一部分、以及位于所述第一部分及所述第一介电层上方的第二部分。所述第一部分的宽度随着所述第一部分朝向所述衬底延伸而减小。所述第二部分具有第一宽度。
相变存储器

[发明专利]相变存储器-CN202210798628.5在审
发明人：周凌珺;杨红心;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种相变存储器，包括：相变存储阵列，包括分别沿第一方向和第二方向并列排布的多个相变存储单元，第一方向与第二方向相交；预设位置，位于相变存储阵列沿第一方向的第一边缘与相变存储阵列沿第二方向的第二边缘的交汇处
相变存储器

[发明专利]相变存储器-CN201410016740.4有效
发明人：柳鹏;吴扬;李群庆;姜开利;王佳平;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器，其包括多个相变存储单元设置成行列式阵列，每一相变存储单元包括至少一碳纳米管线，所述碳纳米管线具有一弯折部；一相变层，所述相变层与所述碳纳米管线的弯折部至少部分层叠设置；设置在每一行的多个相变存储单元中的碳纳米管线的分别与一第一行电极引线及一第一列电极引线电连接，所述相变层与一第二行电极引线电连接，通过在所述第一行电极引线及第一列电极引线之间通入电流的方式加热所述相变层实现数据写入，通过在第一行电极引线及第二行电极引线之间输入电流的方式实现数据读取。
相变存储器

[发明专利]相变存储器-CN200810041414.3有效
发明人：富聪;宋志棠;蔡道林;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-08-05 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明揭示了一种相变存储器，包括若干存储单元、列选通电路与译码器、读比较电阻、灵敏放大器、读写驱动电路、行译码器；所述各存储单元的位线接入所述列选通电路与译码器，各存储单元的字线接入所述行译码器；所述列选通电路与译码器连接所述读写驱动电路、及灵敏放大器，所述读写驱动电路通过读比较电阻连接所述灵敏放大器；所述各存储单元包括一个选通二极管及至少两个相变存储单元；所述各相变存储单元并联后与所述选通二极管连接。本发明的相变存储器采用1DnR存储单元结构，从而减少了选通二极管占用的芯片面积。
相变存储器

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